通过激光诱导、深硅刻蚀实现基于玻璃基的信号转接，，，，，，，使用重布线层（RDL）和微凸点工艺，，，，，，，实现110GHz以上布线带宽，，，，，，，显著提升了信号传输效率和密度；；；；；；；匹配主流八通道硅光调制芯片和电驱动芯片，，，，，，，实现8通道标准化计划，，，，，，，同时兼容主流硅光芯片与电芯片的管脚界说，，，，，，，实现光电混淆封装的高度集成化；；；；；；；片上可集成激光直写光波导与interposer内开槽，，，，，，，实现低消耗高密度的光路扇入扇出。。。。。。。